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KVR32S22S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz 1,2V 1Rx8 para noteb

KVR32S22S8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 3200Mhz 1,2V 1Rx8 para noteb

4.7 (571) · € 123.00 · En Stock

8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-3200 CL22 260-Pin SODIMM Descrição:Este documento descreve a memória ValueRAMM KVR32S22S8/8 sendo uma SDRAM DDR4-3200 CL22 de 1G x 64 bits (8GB) (DRAM síncrona), 1Rx8, módulo de memória, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Cada DIMM de 260 pinos usa contatos dourados. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:Características:• Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico• VDDQ = 1.2V típico• VPP = 2.5V típico• VDDSPD = 2.2V a 3.6V• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara• Atualização automática de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração VREFDQ na matriz• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD)
8GB 1Rx8 1G x 64-Bit PC4-3200 CL22 260-Pin SODIMM Descrição:Este documento descreve a memória ValueRAMM KVR32S22S8/8 sendo uma SDRAM DDR4-3200 CL22 de 1G x 64 bits (8GB) (DRAM síncrona), 1Rx8, módulo de memória, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Cada DIMM de 260 pinos usa contatos dourados. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes:Características:• Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico• VDDQ = 1.2V típico• VPP = 2.5V típico• VDDSPD = 2.2V a 3.6V• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara• Atualização automática de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração VREFDQ na matriz• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada• Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)• Topologia de passagem• Comando de controle terminado e barramento de endereço• PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm)• Compatível com RoHS e sem halogênio Especificações:CL (IDD) = 22 ciclosTempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.)Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.)Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)Classificação UL: 94V - 0Temperatura de operação: 0ºC a +85ºCTemperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC

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Equip your system with more memory and achieve a significant increase in performance. With sufficient RAM the operating system and programs are available particularly quickly thanks to random access and access times in the nanosecond range. If the main memory is not sufficient the operating system and programs are transferred to the hard disk whose access times in milliseconds are considerably higher.